サファイア単結晶基板(Al2O3単結晶)

製品情報

サイズ

10x10mm~50x50mm、2"φ~8"φ

厚み   0.43mm、0.5mm、0.53mm等
研磨   片面エピ研磨、両面エピ研磨
面方位

(c) = (0001)    (r) = (1-102)

(a) = (11-20)       (m) = (10-10)

(S) = (10-11)       (n) = (11-23)


サファイア基板は安価で入手しやすい上、耐久性も非常に強く、時計窓やLEDをはじめとする様々な用途に使われております。
しかしながら、サファイア市場における主な需要はウエハ(2"φ、3"φなど)にあり、小さな試料を作製するのに好都合な10x10mmサイズとなると、大手メーカー様では大型発注(100枚~)が必要になったり、2"φ品の価格と比べるとお世辞にも安いとは言えない価格で入手せざるを得ない状況にございます。   お客様ご自身で切断されるにしてもチッピングが多くなったり、そもそもの手間がかかります。
そのような悩みを解消するために、K&Rでは、定番となる(c)面基板をはじめ、超伝導用途の(r)面、さらには(a)面、(m)面の10x10mm基板を大量にストックし、お求めやすい価格にて販売しております。
ウエハ製品と異なり、数枚単位での販売も承っておりますので、どうぞお気軽にお問い合わせ下さい。
窒化物半導体向けサファイアウエハー製品の案内は左記クリックの上、ご確認下さいませ。

        


        基板表面処理後のステップテラス面

     (測定ご協力:東京工業大学フロンティア材料研究所

 

             Sapphire                                        
結晶育成方法    EFG (Edge-Defined Film-Fed Growth)、キロプロス
結晶構造  hexagonal 
格子定数 (nm) a=0.4763   c=1.3003 
結晶カラー  無色 
密度 (g/cm3 3.97 
溶融温度 (K)  2053 
熱伝導率 (W/m K) 42 (25℃), 20 (300℃), 12 (800℃) 
比誘電率 

11.5 (25℃) parallel to C-Axis

 9.3 (25℃) perpendicular to C-Axis 

損失係数 

 < 10-4
硬度 (Mohs)   9

 

※ 上記数値は保証値でなく、一般値です。