酸化物単結晶基板

10x10mmを標準品としておりますが、15x15mmや20x20mm、2"φなど(結晶によります)、様々なサイズの酸化物単結晶基板にご対応しております。   
窒化物半導体用途向けにSCAM単結晶の取り扱いを始めました。中国品でのご案内となりますが、ユーザー様からはご好評をいただいております。是非お試しください。

<取扱製品一覧>

 

 窒化物半導体向け SCAM (ScAlMgO4)  NEW!!!


 

SrTiO3

(チタン酸ストロンチウム)

 

MgO 

(酸化マグネシウム)

REScO3 

(RE=Gd, Dy, Tb等)

 

Al2O3

(サファイア)

 

TiO2 (rutile)

(酸化チタン) 

LaAlO3

(ランタンアルミネート) 

 

LSAT

(エルサット)

 

YSZ (Y:ZrO2)

(イットリア安定化ジルコニア) 

SrLaAlO4

(ストロンチウムランタンアルミネート)

 

SrLaGaO4

(ストロンチウムランタンガレート)

 

ZnO

(酸化亜鉛) 

NdGaO3

(ネオジウムガレート) 

 

MgAl2O4

(スピネル)

 

YAlO3

(イットリウムアルミネート) 

PMNT (PMN-PT) 

(マグネシウム酸ニオブ酸チタン酸鉛)

 

GGG

(ガドリウムガリウムガーネット)

 

SGGG

(置換型ガドリウムガリウムガーネット)

 YAG

(イットリウムアルミウムガーネット)

 

SiO2

(水晶)

 

 

BaTiO3

(チタン酸バリウム)

 

 

KTaO3

(タンタル酸カリウム)

 

 

基板標準仕様


   〇 面粗さ: Ra (average roughness) < 0.5nm (typ. < 0.25nm)

                    RMS (root-mean-square) < 0.8nm (typ. < 0.35nm)

                    P-V (peak to valley) < 3.5nm (typ. < 3nm)

 

   〇 公差: 縦横 --- 「+0/-50um」

                 厚み --- 「+/- 20um」~ 「+/- 50um」

       面方位 --- < 0.5°(typ. < 0.3°) 

 

   〇 Free of defects (scratch, dig, etc.) under 50x magnification

 

 

※ 基板の種類・仕様によりましては、上記数値よりも悪くなる場合が

  ございます。詳細情報をご入用の場合は別途、お問い合わせ下さい。