SiO2単結晶基板(水晶)

製品情報

サイズ  10x10mm~50x50mm等
 厚み  0.5mm t、1mm t、等
 研磨  片面エピ研磨、両面エピ研磨
面方位

 x-cut、y-cut、z-cut、AT-cut

 

Silicon dioxide   
 結晶育成方法  水熱合成法
 結晶構造  trigonal
 格子定数 (nm)  a= 0.49124
 c= 0.54039
 結晶カラー  無色
 密度 (g/cm3)  2.65
 溶融温度 (K)  1973
 熱膨張率 (10-6K-1)  a11 = 13.71, a33 = 7.48
 比誘電率  4.34 // c, 4.27 ⊥ c (at 30 MHz)
 硬度 (Mohs)  7

 ※ 上記数値は保証値でなく、一般値です。